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关于TMR磁传感器技术的优势和应用方向

发布日期:2021-01-11 20:42

  会因外加磁场而增加或减少,电阻的变化量称为磁阻(Magnetoresistance)。物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应。同霍尔效应一样,磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。从一般磁阻开始,磁阻发展经历了常磁阻(OMR),异向磁阻(AMR),巨磁阻(GMR),隧穿磁阻(TMR)的过程。

  也伴随着近年来磁阻效应的广泛应用,磁阻器件在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域得到深度器重。然而比较可惜的是,无论国内国外,技术要求和表现相对更靠后的一代磁传感器——霍尔传感器一直都是厂家的青睐之选,而已经得到技术成熟度催化的第四代磁传感器——隧穿磁阻(TMR)却鲜有问津。

  然而由于近一年来国内对于太阳能光伏、公共充电桩领域的技术刚需,TMR逐步开始崭露头角,行业对于TMR的角色和求知欲也与日俱增。今天就为大家好好介绍一番关于TMR技术的优势和应用方向。

  TMR(TunnelMagnetoResistance),全称隧穿磁阻技术,最早是用在硬盘中的磁性读写功能上,享誉盛名的MRAM磁性随机存取内存就是基于此。也正是因为其对磁场检测的精度、准确度相当高,并且使用寿命和稳定性相比前几代磁传感技术都会更好,所以其元件,尤其是磁电阻效应传感器,在近年来开始受到工业领域的广泛衍生和应用。

  针对磁传感器的发展历程,无论是第一代的霍尔传感器,还是之后的AMR传感器、GMR传感器,包括现在的TMR传感器,本质都是对磁场,尤其是对电磁场的利用。而相比较之下,TMR传感器的优势在于其遥遥领先的稳定性、灵敏度、小封装以及低功耗等等,相比前几代在性能上都有至少十多倍的提升。而这些特性参数上的突破,又给许多产业和产品的功能塑造上提供了更多样的可能性。

  从功能上看,TMR传感器的应用主要分为三类:线性位置测量、角度测量和电流测量。这三类TMR传感器的应用基本覆盖和满足了当前国内所有工业自动化技术、家用电器、商标识别、卫星定位、导航系统以及精密测量技术等等方面的应用。接下来我们就具体来看下。

  TMR传感器在线性位置测量上最大的应用莫过于在液位计上的使用了。例如在汽车油箱存量上的检测,就可以利用TMR传感器。其原理是利用磁传感器之间的磁场读写功能,当油箱液位下降到下一个传感器的位置时候,磁场读写输出信号为1,其他为0,同时利用TMR传感器在反应灵敏度和精确度的优势,就可以第一时间反馈出当前油箱的即时存量。

  而在这个基础上,如果要获得更精细的测量液体下降的高度,得到更精准的刻度,一种方法是通过增加传感器数量,缩小传感器之间的距离来达成,另一种方法则更为先进,设定之后的传感器是一个位置滑动性组件,那就可以让磁场信号读写在一个限定区间里进行,这样不仅可以大量减少成本,同时也可以达到精细化刻度的目标。

  另一个比较普及的线性位置应用,其实来自于我们日常接触到的游戏手柄。其实一些高端手柄,如XBOX手柄的扳机键已经运用到了霍尔传感器,但其实摇杆的设定也会适合磁传感器发挥功能。相比较运用电位器机械式结构。磁传感器的游戏手柄的优势是非常明显的。一方面毫无疑问是对于灵敏度的应需,另一方面在于技术成本的减小。这里的成本指的是整体的制造成本,尽管磁传感器的独立成本一定会高于电位器,但是机械结构势必意味着从封装和线路排列,会损耗更多的投入,但是磁传感器的应用和植入其实蛮“傻瓜”的,就可以综合性地缩减成本开支。

  而在家庭电器方面,尤其在高端家庭电器领域,TMR传感器在角度测量方面的应用扮演起了主要的角色。家庭电器传统按钮从最原始的固定式旋钮变成了固定按钮式,然后又把按钮做进了面板内,这样一方面缩小电器的不规则体积,方面收纳和清洗,另一方面满足了高定产品的高级感。但缺点也立竿见影,从旋钮到按钮的更迭,从应用上看,某种程度上是牺牲了更精细化功率输出能力的。因此,TMR技术得到了用武之地。利用磁阻效应,我们可以把旋钮设为非固定式,甚至是非接触式外置配件,这样就同时兼顾到更精准的功率控制和输出能力,也满足电器方便收纳和清洗的使用需求。另一方面,从产品生态发展的趋势来看,这种应用也是符合智能家居生态进化论的,同样的旋钮外置配件,是可以用来同时控制灶具、冰箱、洗衣机、空调、电灯等所有开关组件的功率调整和开闭合状态的,这种生态化的统合控制相比目前市面上比较多的智能系统的语音控制也会更精确和自主。

  角度测量的原理本质是利用磁场变量和三角函数,去测量偏转角度,然后把再用偏转角度去控制家电的输出功率上。

  电流测量,可能是TMR传感器最大的应用方向了。一般来说,普通器件测量电流的原理比较简单,在流通环节上,去安置电阻,然后测量通过电阻的电流。但是缺点也很大。一个是对于大电流的测量,就必须串联或者使用大电阻,一方面加大了成本,同时也不得不组装成大体积结构;另一方面则是在超低电流的检测方面,因为移动智能设备的发展、物联网和生物技术的扩展衍生,器件工作电流突破安培级和毫安级,可能会低至微安级,甚至更低,因此用传统控制电阻方法测电流就会意味着需要非常复杂的设备进行搭配测量,简单地原理,但是非常复杂的工艺。而磁传感器就完全不会有这些问题。即使是第一代霍尔传感器,都可以巧妙运用聚磁环结构来放大磁场,而且体积重量相比电阻测量都会降低不只一个维度。那作为第四代的TMR传感器又表现如何呢?霍尔传感器的缺陷是功耗大,线性度差,而且聚磁环结构在磁传感器领域里算是臃肿级的配置了。TMR传感器检测电流的原理是,通过检测铜导线结构上所产生的电磁场,再通过运算来得到电流大小。它在去掉了聚磁环结构的基础上,比霍尔传感器有更好的温度稳定性、更高的灵敏度、更低的功耗,以及更好的线性度。这些优势也同样存在于和AMR传感器和GMR传感器的比较优势里。

  正因为这一特性,让TMR传感器在充电桩和光伏太阳能板上有着无与伦比的优势。尽管我知道国内目前主要在公共充电桩领域运用的是霍尔传感器去检测电流,但这并不影响TMR传感器是更好的选择。因为相对来说,霍尔传感器成本和封装工艺难度会比TMR更便宜和简单这是事实,但是从效果出发,霍尔传感器响应时间慢、体积大、收到外部温度影响导致的报错率高,这也是无法推诿的事实。而从充电桩的发展趋势来看,未来交流电电桩和交直流一体电桩的普及度会是大趋势,同时单桩1拖2,1拖4的桩体结构势必要求城市内总桩数的电功率损耗有个精确计算,从这个方面想,霍尔传感器就会逐步显示和放大自身的性能缺陷。

  说完了TMR,我们再来说说国内目前具有TMR领先技术的公司,其实国内做霍尔的会比较多,因为市场普及度高和成本低的关系,霍尔的应用市场需求会比较大,相对地技术发展就会比较得到青睐。TMR此类算是新型科技元件和技术,在有条件有技术的公司里就会显得凤毛麟角一些。目前具有该项产品技术的公司里,比较大的,如TDK,Murata村田,还有一些小型的科技公司,如多维等等。但技术的前沿性给了国内该项技术的公司不小的壁垒性,随着本土TMR玩家的增加,可以预见距离最新的磁传感器应用普及越来越近了。

  目前主要的磁传感技术根据工作原理的不同,包括霍尔、AMR(各向异性磁阻传感器)、GMR(巨磁阻)、T....

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  看产品文档或联系我们以了解最新的机构审批信息。  产品类型特性 磁传感器产品类型  Magnetic Angle Sensor 电气特征 典型工作电压 (V) 3 – 5.5 典型平均电流 (mA) 10 – 30 睡眠电流 (mA) 1.2 使用环境 工作温度范围  -25 – 85 °C [ -13 – 185 °F ] 操作/应用 信号输出  模拟 数据更新速率 (Hz) 24 – 720 I2C 时钟频率 (Kb/s) 最多 100 包装特性 ...

  看产品文档或联系我们以了解最新的机构审批信息。  产品类型特性 磁传感器产品类型  Magnetic Linear Position Sensor 电气特征 典型工作电压 (V) 5 典型平均电流 (mA) 1.5, 3 使用环境 传感范围 (mm) 1, 2, 5 工作温度范围  -40 – 150 °C [ -40 – 302 °F ] 操作/应用 信号输出  无源模拟 典型信号振幅 (mV/V) 11 包装特性 磁传感器包装  DFN2x6 ...

  看产品文档或联系我们以了解最新的机构审批信息。  产品类型特性 磁传感器产品类型  Contactless Rotational and Linear Encoder, Magnetic Angle Sensor, Magnetic Low Field Sensor, Magnetic Switch Sensor 电气特征 典型工作电压 (V) 3 – 5.5, 5 典型平均电流 (mA) .5, 1.6, 3, 4, 10 – 30 睡眠电流 (mA) 1.2 使用环境 传感范围 (°) 0 – 180 传感范围 (kA/m) -6 – 6, 1.4 – 2.3 工作温度范围 (°C) -40 – 125, -40 – 125, -40 – 150, -25 – 85 工作温度范围 (°F) -40 – 257, -40 – 257, -40 – 302, -1...

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  集成磁滞 30kHz高速感应带宽 2.5V至5.5VV CC 工作电压范围 开漏输出,输出电流高达20mA 工作温度范围:-40°C至+ 150°C 所有商标均为其各自的商标。拥有者。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开...

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  该器件由3.3V或5V电源供电。当不存在磁场时,输出产生占空比为50%的时钟。输出占空比会随施加的磁通量密度呈线性变化,四个灵敏度选项可以根据所需的感应范围最大限度扩大输出动态范围。南北磁极产生唯一的输出。典型的脉宽调制(PWM)载波频率为2kHz。 它可检测垂直于封装顶部的...

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  特性 超小型X2SON或SOT-23封装 高磁性灵敏度:2mT(典型值) 可靠磁滞:4mT(典型值) 30kHz高速感应带宽 2.5V至5.5VV CC 工作电压范围 推挽式CMOS输出 支持5mA拉电流和20mA灌电流 工作温度范围:-40C至+ 135C 所有商标均为其各自所...

  DRV5013-Q1器件是一款斩波稳定霍尔效应传感器,能够在整个温度范围内提供具有出色灵敏度稳定性和集成保护特性的磁场感测特性。 磁场由数字双极锁存输出表示。该集成电路(IC)配有一个灌电流能力达30mA的漏极开路输出级。反向极性保护高达 - 22V的宽工作电压范围(2.7至38V)使得此器件广泛适用于各种汽车应用。 提供针对反向电源情况,抛负载和输出短路或者过流的内部保护功能。 /p

  特性 符合面向汽车应用的AEC-Q100标准: 设备HBM ESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4B 1级:T A = -40C至125C(Q,请参阅器件命名规则) 0级:T A = -40C至150C(E,请参阅器件命名规则) 数字双极锁存霍尔传感器 出色的温度稳定性 在温度范围内B OP 10 % 多种灵敏度选项(B OP /B RP ) 1.3 /- 1.3mT(FA,请参阅器件命名...

  DRV5056 高精度 3.3V 或 5V 比例式单极霍尔效应传感器系列

  DRV5056是一款线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁南极的磁通密度。该器件可用于各种应用中的精确定位传感。 具有单极磁响应,模拟输出在没有磁场时驱动0.6 V,在应用南磁极时增加。该响应最大化了感应一个磁极的应用中的输出动态范围。四种灵敏度选项可根据所需的感应范围进一步最大化输出摆幅。 该器件采用3.3 V或5 V电源供电。检测垂直于封装顶部的磁通量,并且两个封装选项提供不同的感测方向。 该器件采用比率式架构,可在外部时最小化V CC 容差的误差模数转换器(ADC)使用相同的V CC 作为参考。此外,该器件还具有magnettemperature补偿功能,可抵消磁体在-40C至+ 125C宽温度范围内的线性性能漂移情况。 特性 单极线性霍尔效应磁传感器 采用3.3 V和5V电源供电

  具有0.6V静态偏移的模拟输出: 最大化电压摆幅以实现高精度 磁性灵敏度选项(在V CC = 5 V): A1:200 mV /mT,20 mT范围 A2:100 mV /mT,3...

  DRV5012器件是可通过引脚选择采样率的超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。 当南磁极靠近封装顶部并且超出B OP 阈值时,该器件会驱动低电压。输出会保持低电平,直到应用北极并且超出B RP 阈值, B OP 和B RP 以提供可靠切换。 p

  通过使用内部振荡器,DRV5012器件对磁场进行采样,并根据SEL引脚以20Hz或2.5kHz的速率更新输出。这种双带宽特性可让系统在使用最小功率的情况下监控移动变化。 此器件通过1.65V至5.5V的V CC 工作,并采用小型X2SON封装。 特性 行业领先的低功耗特性 可通过引脚选择的采样率: SEL =低电平:使用1.3A(1.8V)时为20Hz SEL =高电平:使用142A(1.8V)时为2.5kHz V CC 工作电压范围为1.65V至5.5V 高磁性灵敏度:2mT(典型值) 可靠磁滞: 4mT(典型值) 推挽式CMOS输出 小型纤薄X2SON封装 运行温度范围:-40C...

  DRV5056-Q1 汽车类高精度 3.3V 或 5V 比例式单极霍尔效应传感器系列

  DRV5056-Q1器件是一款线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁通量密度。该器件可用于进行精确的位置检测,应用范围广泛。 此模拟输出配备特色的单极磁响应,无磁场时可驱动0.6V的电压,存在南磁极时电压会升高。对于感应一个磁极的应用,此响应可以最大限度提高输出动态范围.4种灵敏度选项可以基于所需的感应范围进一步最大限度提高输出摆幅。 该器件由3.3V或5V电源供电。它可感测到到直管封装顶部的磁通量,两个封装选项提供不同的感应方向。 该器件使用比例式架构,当外部模数转换器(ADC)使用相同的V CC 进行此时,该器件还具有磁体温度补偿功能,可以抵消磁体漂移,在广泛的-40C至+ 150 C温度范围内实现线性特性。 特性 单极线性霍尔效应磁传感器 由3.3V和5V电源供电 模拟输出,提供0.6V静态失调电压: 最大限度提高电压摆幅以实现高精度 磁性灵敏度选项(V CC = 5V时): A1:200mV /mT,20mT范围 A2:100mV...

  DRV5055-Q1 汽车类高精度 3.3V 或 5V 比例式双极霍尔效应传感器系列

  DRV5055-Q1器件是一款线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁通量密度。该器件可用于进行精确的位置检测,应用范围广泛。 该器件由3.3V或5V电源供电。当不存在磁场时,模拟输出可驱动1/2 V CC 。输出会随施加的磁通量密度呈线性变化,四个灵敏度选项可以根据所需的检测范围提供最大的输出电压摆幅。南北磁极产生唯一的电压。 该器件可检测垂直于封装顶部的磁通量,两个封装选项提供不同的检测方向。 该器件使用比例式架构,当外部模数转换器(ADC)使用相同的V CC 作为其基准电压时,可以消除此外,该器件还具有磁体温度补偿功能,可以抵消磁体温漂,在广泛的-40C至+ 150C温度范围内实现线性特性。 特性 比例式线性霍尔效应磁传感器 由 3.3V 和 5V 电源供电 模拟输出,提供 VCC/2 静态失调电压 磁性灵敏度选项(VCC = 5V 时): A1:100mV/mT,21mT 范围 A2:50mV/mT,42mT 范围 A3:25mV/mT,85mT 范围 ...

  DRV5055 高精度 3.3V 或 5V 比例式双极霍尔效应传感器系列

  DRV5055器件是一款线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁通量密度。该器件可用于进行精确的位置检测,应用范围广泛低功耗是一个关键问题。 该器件由3.3V或5V电源供电。当不存在磁场时,模拟输出可驱动1 /2V CC 。输出会随施加的磁通量密度呈线性变化,四个灵敏度选项可以根据所需的感应范围提供最大的输出电压摆幅。南北磁极产生唯一的电压。 它可检测垂直于封装顶部的磁通量,而且两个封装选项提供不同的检测方向。 该器件使用比例式架构,当外部模数转换器(ADC)使用相同的V CC 作为其基准电压时,可以消除V CC 容差产生的误差。此外,该器件还具有磁体温度补偿功能,可以抵消磁体漂移,在较宽的-40C至125C温度范围内实现线性性能。 特性 所有商标均为其各自所有者的财产。 比例式线性霍尔效应磁传感器 由3.3V和5V电源供电 模拟输出,提供V CC /2静态失调电压 磁性灵敏度选项(V CC = 5V时): A1 :100mV /mT,21mT范围 A2:...

  DRV5032 超低功耗 1.65V 至 5.5V 霍尔效应开关传感器

  DRV5032器件是一款超低功耗数字开关霍尔效应传感器,专为最紧凑型系统和电池电量敏感型系统而设计。器件可提供多种磁性阈值,采样率,输出驱动器和封装以适配各种应用。 当施加的磁通量密度超过B OP 阈值时,器件会输出低电压。输出会保持低电压,直到磁通量密度低于乙 RP ,随后输出将驱动高电压或变成高阻抗,具体取决于器件版本。通过集成内部振荡器,该器件可对磁场进行采样,并以20Hz或5Hz的速率更新输出,以实现最低电流消耗。 此器件可在1.65V至5.5V的V CC 范围内工作,并采用标准SOT-23和小型X2SON封装。 特性 行业领先的超低功耗 5Hz版本:0.54A,1.8V 20Hz版本:1.6A,3V V CC 工作电压范围为1.65V至5.5V 磁性阈值选项(最大B OP ): 3.9 mT,最高灵敏度 4.8mT,高灵敏度 9.5 mT,中等灵敏度 63mT,最低灵敏度 ...

  TMR磁传感器产品的应用非常广泛,包括工业控制、金融器具、生物医疗、消费电子、汽车领域等,其典型特征....

  为了增强虚拟环境中的真实感,用户和虚拟内容之间的真实交互十分重要。到目前为止,许多研究人员都专注于使....

  磁传感器无所不在、尺寸小巧且价格合理,可以轻松地和其他电路一同集成到芯片上,因此,磁传感器被人们广泛....

  DRV5033器件是一款斩波稳定霍尔效应传感器,能够在整个温度范围内提供具有出色灵敏度稳定性和集成保护特性的磁场感测量能力。 DRV5033对磁场两极方向的响应相同。当应用的磁通量密度超过B OP 阈值时,DRV5033开漏输出变为低电平。输出将保持低电平,直到磁通量密度降至B RP 以下之后变为高阻抗。输出灌电流能力为30mA。反向极性保护高达-22V的宽工作电压范围(2.5至38V)使得此器件广泛适用于各种工业信号。 该器件提供针对反向电源情况,负载突降以及输出短路或过流故障的内部保护功能。 特性 数字全极开关霍尔传感器 出色的温度稳定性 在温度范围内B OP ±10% 多种灵敏度选项(B OP /B RP ): ±3.5 /±2mT(FA,请参见) ±6.9 /±3.5mT(AJ,请参见) 检测南北磁场 支持宽电压范围 2.5V至38V 无需外部稳压器 宽运行电压范围 T A = -40至125°C(Q,请见)

  开漏输出(30mA灌电流) 35μs快速上电时间 小型封装尺寸 表面贴装3引脚小外形尺寸晶体管(SOT )-23(DBZ) 2.92mm×2.37mm 插入式3引脚TO-92(LPG) 4.00 mm×3.15mm 保护特性 反向电源保护(高达-22V...

  DRV5023-Q1器件是一款斩波稳定霍尔效应传感器,能够在整个温度范围内提供具有出色灵敏度稳定性和集成保护特性的磁场感测解决方案。 当施加的磁通量密度超过B OP 阈值时,DRV5023-Q1开漏输出将会转低。输出将保持低电平,直到磁通量密度降至B RP 以下之后变为高阻抗。输出灌电流能力为30mA。反向极性保护高达-22V的宽工作电压范围(2.7至38V)使得此器件广泛适用于各种汽车应用。 该器件提供针对反向电源情况,负载突降以及输出短路或过流故障的内部保护功能。 特性 数字单极性开关霍尔传感器 符合汽车类应用的AEC-Q100标准 1级:T A = -40至125°C(Q,请参见器件命名规则) 0级:T A = -40至150°C(E,请参见器件命名规则) 反向输出选项(FI) 出色的温度稳定性 温度范围内的灵敏度为±10% 多个灵敏度选项(B OP /B RP ): 3.5 /2 mT(FA,FI,请参见器件命名规则) 6.9 /3.2 mT(AJ,请参见器件命名规则) 14.5 /6 mT(BI,请参见器件命名规则) 支持宽电压范围 2.7V至38V 无需外部稳压器

  开漏输出(30mA灌电流) 35μs快速上电时间 小型封装尺寸 表面贴装3引脚小...

  DRV5053-Q1器件是一款斩波稳定霍尔IC,能够在整个温度范围内提供具有出色灵敏度稳定性和集成保护特性的磁场感测解决方案。 0V至2V模拟输出可对施加的磁感应强度做出线性响应,并且能够辨别磁场方向的极性。反向极性保护高达-22V的宽工作电压范围(2.7V至38V)使得此器件适用于广泛的汽车和消费类应用。 针对反向电源情况,负载突降和输出短路或过流提供内部保护功能。 特性 线性输出霍尔传感器 符合汽车应用要求的AEC-Q100标准 1级:T A = -40至125°C(Q,请见) 0级:T A = -40至150°C( E,请见) 出色的温度稳定性 温度范围内的灵敏度为±10% 高灵敏度选项: -11mV /mT(OA,请见) -23mV /mT(PA) -45mV /mT (RA) -90mV /mT(VA) + 23mV /mT(CA) + 45mV /mT(EA)

  支持宽电压范围 2.7V至38V 无需外部稳压器 放大的输出级 2.3mA灌电流,300μA拉电流 输出电压:0.2V至1.8V B = 0mT,OUT = 1V 快速上电:35μs 小型封装尺寸 表面贴装3引脚小外形尺寸晶体管(SOT)-23(DBZ) 2.92mm×2.37mm 插入式3引脚统一封装(SIP)(LPG)...

  DRV5013 器件是一款斩波稳定霍尔效应传感器,能够在整个温度范围内提供具有出色灵敏度稳定性和集成保护特性的磁场感测 解决方案。 磁场由数字双极锁存输出表示。该集成电路 (IC) 配有一个灌电流能力达 30mA 的漏极开路输出级。反向极性保护高达 -22V 的宽工作电压范围(2.5 至 38V)使得此器件广泛适用于各种工业 应用。 提供针对反向电源情况、抛负载和输出短路或者过流的内部保护功能。 特性 数字双极锁存霍尔传感器 出色的温度稳定性 在温度范围内B OP ±10% 多种灵敏度选项(B OP /B RP ) 1.3 /-1.3mT(FA,请参见) 2.7 /-2.7mT(AD,请参见) 6 /-6mT( AG,请参见) 12 /-12mT(BC,请参见) 支持宽电压范围 2.5V至38V白血病 至125°C(Q,请见) 开漏输出(30mA灌电流) 35μs短暂上电时间

  小型封装尺寸 表面贴装3引脚小外形尺寸晶体管(SOT)-23(DBZ) 2.92mm×2.37mm 插入式3引脚TO-92(液化石油气) 4.00mm×3.15mm 保护特性 反向电源保护(高达-22V) 支持高达40V负载 输出短路保护 输出电流限制 应用 电动工具 流量计 阀门和螺线管状态 无刷直流电机 接近感...

  DRV5033-Q1器件是一款斩波稳定霍尔效应传感器,能够在整个温度范围内提供具有出色灵敏度稳定性和集成保护特性的磁场感测功能。 DRV5033-Q1对磁场两极方向的响应相同。当应用的磁通量密度超过B OP 阈值时,DRV5033-Q1开漏输出变为低电平。输出将保持低电平,直到磁通量密度降至B RP 以下之后变为高阻抗。输出灌电流能力为30mA。反向极性保护高达-22V的宽工作电压范围(2.7至38V)使得此器件广泛适用于各种汽车信号。 该器件提供针对反向电源情况,负载突降以及输出短路或过流故障的内部保护功能。 特性 数字全极开关霍尔传感器 符合汽车类应用的AEC-Q100标准 1级:T A = -40至125°C(Q,请见) 0级:T A = -40至150° C(E,请见) 出色的温度稳定性 在温度范围内B OP ±10%

  多种灵敏度选项(B OP /B RP ): ±3.5 /± 2mT(FA,请参见) ±6.9 /±3.5mT(AJ,请参见) 检测南北磁场 支持宽电压范围 2.7V至38V 无需外部稳压器 开漏输出(30mA灌电流) 35μs快速上电时间 小型封装尺寸 表面贴装3引脚小外形尺寸晶体管(SOT)-23(DBZ)